(1) মনোলিথিক ফটোইলেকট্রিক ইন্টিগ্রেশন
সাম্প্রতিক বছরগুলিতে, সিলিকন-ভিত্তিক ফোটোনিক ডিভাইসগুলি দ্রুত বিকশিত হয়েছে, যেমন অপটিক্যাল সুইচ, মডুলেটর, মাইক্রো-রিং ফিল্টার ইত্যাদি। সিলিকন প্রযুক্তির উপর ভিত্তি করে ইউনিট ডিভাইসগুলির নকশা এবং উত্পাদন প্রযুক্তি তুলনামূলকভাবে পরিপক্ক হয়েছে। প্রথাগত CMOS প্রক্রিয়াগুলির সাথে এই ফটোনিক ডিভাইসগুলিকে যুক্তিসঙ্গতভাবে ডিজাইন এবং জৈবভাবে একীভূত করার মাধ্যমে, সিলিকন ফটোনিক ডিভাইসগুলিকে একই সময়ে প্রথাগত CMOS প্রক্রিয়া প্ল্যাটফর্মে তৈরি করা যেতে পারে, যার ফলে নির্দিষ্ট ফাংশন সহ একটি একচেটিয়া সমন্বিত অপটোইলেক্ট্রনিক সিস্টেম গঠন করা যায়। যাইহোক, বর্তমান অপটোইলেক্ট্রনিক ইন্টিগ্রেশন প্রযুক্তির এখনও সাব-মাইক্রন এচিং প্রযুক্তি, ফোটোনিক ডিভাইস এবং ইলেকট্রনিক ডিভাইসের মধ্যে প্রক্রিয়া সামঞ্জস্যতা, তাপ এবং বৈদ্যুতিক বিচ্ছিন্নতা, আলোর উত্সগুলির একীকরণ, অপটিক্যাল ট্রান্সমিশন লস এবং কাপলিং দক্ষতা এবং অপটিক্যাল লজিক সমস্যাগুলির একটি সিরিজের সমাধান করতে হবে। যেমন ডিভাইস। স্ট্যান্ডার্ড CMOS উত্পাদন প্রক্রিয়ার উপর ভিত্তি করে বিশ্বের প্রথম একচেটিয়া অপ্টোইলেক্ট্রনিক ইন্টিগ্রেটেড চিপ, যা অপ্টোইলেক্ট্রনিক ইন্টিগ্রেটেড চিপের ভবিষ্যত বিকাশকে ছোট আকারে, কম বিদ্যুত খরচ এবং খরচে চিহ্নিত করে।
(2) হাইব্রিড অপটোইলেক্ট্রনিক ইন্টিগ্রেশন
হাইব্রিড অপটোইলেক্ট্রনিক ইন্টিগ্রেশন হল দেশে এবং বিদেশে সর্বাধিক অধ্যয়ন করা অপটোইলেক্ট্রনিক ইন্টিগ্রেশন সমাধান। সিস্টেম ইন্টিগ্রেশনের জন্য, বিশেষ করে কোর লেজারের জন্য, InP এবং অন্যান্য III-V উপকরণগুলি একটি ভাল প্রযুক্তি পছন্দ, কিন্তু অসুবিধা হল উচ্চ খরচ, তাই কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করার সময় খরচ কমাতে এটিকে অবশ্যই প্রচুর পরিমাণে সিলিকন প্রযুক্তির সাথে একত্রিত করতে হবে। নির্দিষ্ট প্রযুক্তিগত উপলব্ধি পদ্ধতির পরিপ্রেক্ষিতে, মার্কিন যুক্তরাষ্ট্রের একটি কোম্পানির উদাহরণ নিন, যেটি সক্রিয় চিপ যেমন লেজার, ডিটেক্টর এবং CMOS প্রক্রিয়াকরণকে বিভিন্ন কার্যকরী চিপসেটের আকারে সাধারণ সিলিকনে অপটিক্যাল ইন্টারকানেকশন এবং বৈদ্যুতিক আন্তঃসংযোগের মাধ্যমে একত্রিত করে। প্যাসিভ অপটিক্যাল অ্যাডাপ্টার বোর্ড। এর সুবিধা হল প্রতিটি চিপসেট স্বাধীনভাবে তৈরি করা যায়, প্রক্রিয়াটি তুলনামূলকভাবে সহজ, এবং বাস্তবায়ন সহজ, কিন্তু ইন্টিগ্রেশন লেভেল তুলনামূলকভাবে কম। অপটোইলেক্ট্রনিক ইন্টিগ্রেশন গবেষণায় নিযুক্ত বিশ্ববিদ্যালয় এবং গবেষণা প্রতিষ্ঠানগুলি TSV আন্তঃসংযোগের মতো ত্রি-মাত্রিক একীকরণ প্রক্রিয়ার উপর ভিত্তি করে অপ্টোইলেক্ট্রনিক ইন্টিগ্রেশন প্রযুক্তি সমাধানগুলি এগিয়ে দিয়েছে, অর্থাৎ, SOI-ভিত্তিক ফোটোনিক ইন্টিগ্রেশন স্তর এবং CMOS সার্কিট স্তর TSV প্রযুক্তির মাধ্যমে সিস্টেম-স্তরের একীকরণ উপলব্ধি করে। ডিজাইন এবং কাঠামো, উত্পাদন প্রক্রিয়ার ক্ষেত্রে দুটি একে অপরের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ কিনা, বৈদ্যুতিক আন্তঃসংযোগ, অপটিক্যাল ইন্টারকানেকশন এবং অপটিক্যাল কাপলিং এর কম সন্নিবেশ ক্ষতি নিশ্চিত করে। এটি হাইব্রিড অপটোইলেক্ট্রনিক ইন্টিগ্রেশন অর্জনের চাবিকাঠি এবং ভবিষ্যতের দিকে অপটোইলেক্ট্রনিক ইন্টিগ্রেশনের প্রধান বিকাশ।
